砷化镓或锗单晶生长方法

admin

2个月前

基本信息

项目名称	砷化镓或锗单晶生长方法
合作方式
金额	100万-500万
行业	新材料信息技术
项目地区	北京市 - 大兴

项目主要内容

项目主要内容	一种砷化镓或锗单晶生长方法。项目类型：材料科学所在地：北京市研究阶段：中试阶段合作方式：合作开发持有人：杨璇所在单位：中科晶电信息材料（北京）有限公司详细介绍一种砷化镓或锗单晶生长方法，属于晶体生长领域，其先将PBN用1200号砂纸修平至无明显台阶，然后将其放入由去离子水、氨水及双氧水混合的体积比例为2∶1∶1的洗液中浸泡30分钟，之后再将PBN用去离子水洗净；将PBN在180-220℃的真空状态下用烘烤炉烘烤约30分钟，然后再在900-1050℃的真空状态下用烘烤炉烘烤30分钟以上；向PBN中充入latm的高纯氧气，使PBN在900-1050℃的烘烤炉烘烤30分钟以上；待PBN冷却到50℃直接装入干净的多晶料，在2分钟内完成装料，该装料环境温度控制在20-25℃，湿度控制在40％以下；装料完成后，按传统VGF工艺完成单晶生长。项目优势本发明砷化镓或锗单晶生长方法不仅使生长的单晶中杂质B含量降低且保证衬底质量不受影响。应用领域适用于晶体生长领域。联系人信息杨璇 13681112310

一种砷化镓或锗单晶生长方法。

项目类型：材料科学

所在地：北京市

研究阶段：中试阶段

合作方式：合作开发

持有人：杨璇

所在单位：中科晶电信息材料（北京）有限公司

详细介绍

一种砷化镓或锗单晶生长方法，属于晶体生长领域，其先将PBN用1200号砂纸修平至无明显台阶，然后将其放入由去离子水、氨水及双氧水混合的体积比例为2∶1∶1的洗液中浸泡30分钟，之后再将PBN用去离子水洗净；将PBN在180-220℃的真空状态下用烘烤炉烘烤约30分钟，然后再在900-1050℃的真空状态下用烘烤炉烘烤30分钟以上；向PBN中充入latm的高纯氧气，使PBN在900-1050℃的烘烤炉烘烤30分钟以上；待PBN冷却到50℃直接装入干净的多晶料，在2分钟内完成装料，该装料环境温度控制在20-25℃，湿度控制在40％以下；装料完成后，按传统VGF工艺完成单晶生长。

项目优势

本发明砷化镓或锗单晶生长方法不仅使生长的单晶中杂质B含量降低且保证衬底质量不受影响。

应用领域

适用于晶体生长领域。

联系人信息

杨璇

13681112310

项目联系信息

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