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砷化镓或锗单晶生长方法

admin
5个月前
点击: 479
基本信息
项目名称 砷化镓或锗单晶生长方法
合作方式
金额 100万-500万
行业 新材料信息技术
项目地区 北京市 - 大兴
项目主要内容
项目主要内容

一种砷化镓或锗单晶生长方法。

项目类型:材料科学

所  在  地:北京市

研究阶段:中试阶段

合作方式:合作开发

持  有  人:杨璇

所在单位:中科晶电信息材料(北京)有限公司


一种砷化镓或锗单晶生长方法,属于晶体生长领域,其先将PBN用1200号砂纸修平至无明显台阶,然后将其放入由去离子水、氨水及双氧水混合的体积比例为2∶1∶1的洗液中浸泡30分钟,之后再将PBN用去离子水洗净;将PBN在180-220℃的真空状态下用烘烤炉烘烤约30分钟,然后再在900-1050℃的真空状态下用烘烤炉烘烤30分钟以上;向PBN中充入latm的高纯氧气,使PBN在900-1050℃的烘烤炉烘烤30分钟以上;待PBN冷却到50℃直接装入干净的多晶料,在2分钟内完成装料,该装料环境温度控制在20-25℃,湿度控制在40%以下;装料完成后,按传统VGF工艺完成单晶生长。


本发明砷化镓或锗单晶生长方法不仅使生长的单晶中杂质B含量降低且保证衬底质量不受影响。


适用于晶体生长领域。


联系人信息

 杨璇

 13681112310

项目联系信息
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